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賽晶攜最新自主研發(fā)IGBT模塊亮相2022年汽車電子創(chuàng)新技術(shù)研討會

8月10日,有全球知名電子科技媒體<電子發(fā)燒友>主辦的2022年汽車電子創(chuàng)新技術(shù)研討會在中國深圳成功舉辦。共有近200名來自各汽車電子相關(guān)企業(yè)的技術(shù)專家們蒞臨現(xiàn)場,帶來了最新的技術(shù)分享。



研討會上,賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持總監(jiān)馬先奎先生,發(fā)表主題報告“電動車用功率模塊的發(fā)展趨勢-從工業(yè)級到汽車級”。介紹了乘用車對功率模塊的技術(shù)需求,以及賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優(yōu)勢及特點(diǎn),并展示了面向新能源汽車領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊,以及面向新能源發(fā)電和工業(yè)電控領(lǐng)域的ST封裝模塊。這是繼ED封裝IGBT模塊之后的又一力作,也是賽晶面對蓬勃發(fā)展的電動車市場做出的積極回應(yīng)和對服務(wù)好客戶的意愿展示。



i20 IGBT芯片,采用FS-TRENCH結(jié)構(gòu)、多項(xiàng)國際前沿優(yōu)化設(shè)計,具有低阻抗短溝道、先進(jìn)的3D結(jié)構(gòu)、N-增強(qiáng)層,使用TAIKO技術(shù)超薄基底、優(yōu)化的P+設(shè)計,以及窄臺面精細(xì)圖案、激光退火處理的場截止層和陽極等優(yōu)勢,多項(xiàng)國際前沿優(yōu)化設(shè)計帶來超低導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。



HEEV封裝SiC模塊是專為實(shí)現(xiàn)高效率電動汽車應(yīng)用而開發(fā),采用低損耗的SiC MOSFET芯片,以及壓注模封裝技術(shù),因而能夠提升對濕度等惡劣環(huán)境的抵抗力。此外,還采用燒結(jié)、超聲波焊接等多種先進(jìn)的封裝工藝,無基底直接冷卻(已申請專利)、鉗橋式結(jié)構(gòu)等獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計;模塊更小的體積(體積降低50%)、更低的損耗(連接電阻降低50%)、更高的可靠性(雜散電感降低40%),擁有高可靠性、良好的可控性、相同的額定功率。



研討會同期展覽,賽晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝模塊、ST封裝模塊以及EV封裝模塊樣品,引發(fā)與會技術(shù)專家們廣泛關(guān)注,現(xiàn)場火爆程度超乎預(yù)期。許多與會專業(yè)人士紛紛到賽晶展位參觀和咨詢,與現(xiàn)場技術(shù)、銷售人員進(jìn)行了深入的交流,并對賽晶將推出的新品抱有極大期許。




賽晶展示了自主研發(fā)的面向新能源汽車領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊,以及帶來了賽晶IGBT最新前沿技術(shù)。憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品理念、國際一流的研發(fā)實(shí)力、豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),以及國際頂級的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì),賽晶科技及其子公司賽晶半導(dǎo)體在打造自主技術(shù)高端 IGBT產(chǎn)品的路上穩(wěn)步向前,始終致力于為電動汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)電控等市場開發(fā)出具有國際一流品質(zhì)的IGBT芯片和模塊產(chǎn)品。

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