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賽晶攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊 亮相TMC2024!


7月4日,由中國(guó)汽車(chē)工程學(xué)會(huì)主辦的第十六屆汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC2024)在青島舉辦。作為中國(guó)最具影響力的電動(dòng)化動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)交流平臺(tái),吸引了眾多新能源行業(yè)引領(lǐng)者、高管及專家齊聚一堂,近2000位汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)相關(guān)人員參會(huì)。作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè),賽晶攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊受邀參會(huì)。



汽車(chē)產(chǎn)品的綠色低碳發(fā)展水平將直接決定未來(lái)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的全球競(jìng)爭(zhēng)力。動(dòng)力系統(tǒng)是汽車(chē)綠色低碳轉(zhuǎn)型的核心,其電動(dòng)化、新能源化、智能化及與其他系統(tǒng)的控制融合的創(chuàng)新空間將超乎想象。 

在這一發(fā)展趨勢(shì)下,賽晶半導(dǎo)體自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊引發(fā)眾多中外專家學(xué)者熱烈關(guān)注和深入交流,并受到了與會(huì)者和客戶的高度關(guān)注和熱烈反響。



賽晶HEEV封裝SiC模塊(1200V)

HEEV封裝SiC模塊為電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用量身定做,適合800V高壓平臺(tái)應(yīng)用,導(dǎo)通阻抗低至2.0mΩ(@25℃),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。



賽晶EVD封裝SiC模塊(1200V)

EVD封裝SiC模塊采用乘用車(chē)領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化設(shè)計(jì),具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對(duì)比,賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%,連接阻抗低33%,開(kāi)關(guān)損耗相近或者更低(相同開(kāi)關(guān)速度)。


不僅如此,賽晶半導(dǎo)體ED封裝IGBT模塊、EV封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊,同樣引發(fā)與會(huì)者高度關(guān)注。充分體現(xiàn)了賽晶在電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力,憑借多年出色的實(shí)用業(yè)績(jī)和領(lǐng)先的市場(chǎng)地位,贏得了中國(guó)電力電子技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)和國(guó)產(chǎn)化先鋒的贊譽(yù)。

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