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ED封裝IGBT模塊

ED封裝IGBT模塊

1200V和1700V ED封裝模塊采用賽晶自研IGBT和二極管芯片組,降低損耗,并提高1200V模塊額定電流可達(dá)2X750A。采用市場(chǎng)主流封裝并采用先進(jìn)的封裝工藝和優(yōu)質(zhì)的封裝材料,以保證模塊高可靠性和長壽命等性能。



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